特許

J-GLOBAL ID：200903007633705208

半導体集積回路のキヤパシタおよびこれを用いた不揮発性メモリ

発明者： 干場 一博
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 杉谷 勉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-270019
公開番号（公開出願番号）：特開平5-082801
出願日： 1991年09月20日
公開日（公表日）： 1993年04月02日
要約：

【要約】【目的】 キャパシタの占有面積を小さくすることができ、しかも十分な量の信号電荷を蓄積することができる半導体集積回路のキャパシタおよびこれを用いた不揮発性メモリを提供する。【構成】 電界効果トランジスタ10のソース領域13aの上に、第1の電極31、第1の強誘電体薄膜32、第2の電極33、第2の強誘電体薄膜34および第3の電極35をその順に積層し、第3の電極35と第1の電極31とを金属配線36で接続する。第2の電極33は接地ラインあるいはドライブラインに接続する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に第1の電極と、第1の強誘電体薄膜と、第2の電極と、第2の強誘電体薄膜と、第3の電極とをその順に積層し、前記第2の電極を積層キャパシタの一方の端子とし、前記第1の電極と第3の電極とを接続する導電配線を他方の端子としたことを特徴とする半導体集積回路のキャパシタ。

IPC (4件)：

H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  G11C 11/22 ,  G11C 17/04

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-142973
  
• 特開昭59-158512
  
• 特開平3-153074