特許
J-GLOBAL ID：200903007638939886
半導体装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
滝本 智之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-078536
公開番号（公開出願番号）：特開平9-270515
出願日： 1996年04月01日
公開日（公表日）： 1997年10月14日
要約：
【要約】【課題】 高周波動作可能なオンチップインダクタ搭載の半導体装置を提供する。【解決手段】 高抵抗Si基板101上のSOI層103を完全に酸化した素子分離酸化膜104領域上にインダクタ110を設置する。これにより、寄生容量の少ない高周波動作可能なインダクタをMOSトランジスタと同一基板上に形成することができ、高周波動作可能なオンチップインダクタ搭載の半導体装置を提供できる。
請求項（抜粋）：
高抵抗基板上に絶縁分離層を介して設置された半導体薄膜層と、前記半導体薄膜層及び前記絶縁分離層に隣接して設置されかつ前記半導体薄膜層と反対導電型を有する複数の不純物拡散層と、前記半導体薄膜上に設置されたゲート酸化膜と、前記ゲート酸化膜上に設置されたゲート電極と、前記半導体薄膜層及び不純物拡散層を取り囲みかつ前記絶縁分離層と接する素子分離領域と前記素子分離領域上に設置された薄膜インダクタからなる半導体装置。
IPC (4件)：
H01L 29/786
, H01L 27/04
, H01L 21/822
, H01L 27/12
H01L 29/78 613 Z
, H01L 27/12 Z
, H01L 27/04 L
