薄膜トランジスタの製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-273997
公開番号（公開出願番号）：特開平9-116162
出願日： 1995年10月23日
公開日（公表日）： 1997年05月02日
要約：

【要約】【課題】薄膜トランジスタの製造方法に関し、各積層薄膜の界面が大気に曝される機会を少なくし、ゲート絶縁膜は良質で界面特性に優れ、構造はゲート金属について制約が少ないトップ・ゲートとし、又、自己整合プロセスが適用可能なコプレーナ電極配置とし、少ないマスクで製造できるようにする。【解決手段】ガラス基板1上にa-Si活性層2とn+ a-Siコンタクト層3と電極材料膜とを成膜し、そこに開口を形成してソース電極4Sとドレイン電極4Dを生成させると共に開口内にn+ a-Siコンタクト層3の一部を表出させ、開口内に表出されたn+ a-Siコンタクト層3の表面からa-Si活性層2に達する窒化シリコンからなるゲート絶縁膜5をプラズマ窒化法を適用して形成し、少なくともゲート絶縁膜5上を含む領域に絶縁膜6をプラズマ化学気相堆積法を適用して形成してからゲート絶縁膜5に対向する領域にゲート電極7を形成する。

請求項（抜粋）：

基板上にアモルファス・シリコン活性層及びn+ アモルファス・シリコン・コンタクト層及び電極材料膜を連続成膜する工程と、前記電極材料膜を分断する開口を形成してソース電極及びドレイン電極を生成させると共に前記開口内に前記n+ アモルファス・シリコン・コンタクト層の一部を表出させる工程と、前記開口内に表出された前記n+ アモルファス・シリコン・コンタクト層の一部の表面から前記アモルファス・シリコン活性層に達する窒化シリコンからなるゲート絶縁膜をプラズマ窒化法を用い自己整合して形成する工程と、少なくとも前記ゲート絶縁膜上を含む領域に絶縁膜をプラズマ化学気相堆積法を適用して形成してから前記ゲート絶縁膜に対向する領域にゲート電極を形成する工程とが含まれてなることを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法。

IPC (5件)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , G02F 1/136 500 , H01L 21/31 , H01L 21/318

FI (5件)：

H01L 29/78 617 V , G02F 1/136 500 , H01L 21/31 C , H01L 21/318 A , H01L 29/78 617 U

前のページに戻る