特許
J-GLOBAL ID：200903007644850064
半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
萩原 誠
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-032232
公開番号（公開出願番号）：特開2000-236021
出願日： 2000年02月09日
公開日（公表日）： 2000年08月29日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 ドライ洗浄工程を前工程として含む半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法を提供する。【解決手段】 下部物質膜上に絶縁膜200を形成する段階と、絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして、下部物質膜を露出させるコンタクトホール250を形成する段階と、露出する下部物質膜上に酸化性ガス及び酸化物反応ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを供給して、コンタクトホールを形成する段階でできた損傷膜110を除去するドライ洗浄段階と、ドライ洗浄段階が行われるチャンバに順次連結されてクラスター化した別途のチャンバで行うことによりドライ洗浄されたコンタクトホール内の露出する下部物質膜上が汚染源に曝されることを防止して、コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する段階とを含む。
請求項（抜粋）：
下部物質膜上に絶縁膜を形成する段階と、前記絶縁膜をドライエッチングによりパターニングして、前記下部物質膜を露出させるコンタクトホールを形成する段階と、露出した前記下部物質膜上に酸化性ガス及び酸化物反応ガスを含むソースガスから励起されるプラズマを供給して、前記コンタクトホールを形成する段階でできた損傷膜を除去するドライ洗浄段階と、前記ドライ洗浄段階が行われるチャンバに順次連結されてクラスター化した別途のチャンバで行うことにより前記ドライ洗浄された前記コンタクトホール内の露出した前記下部物質膜上が汚染源に曝されることを防止して、前記コンタクトホールを埋め込む導電膜を形成する段階とを含むことを特徴とする半導体装置のコンタクトホール埋め込み方法。
IPC (4件)：
H01L 21/768
, H01L 21/28 301
, H01L 21/3065
, H01L 21/304 645
H01L 21/90 C
, H01L 21/28 301 R
, H01L 21/304 645 C
, H01L 21/302 N
