特許
J-GLOBAL ID：200903007649978433
半導体光機能素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
本庄 伸介
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-280985
公開番号（公開出願番号）：特開平6-112595
出願日： 1992年09月25日
公開日（公表日）： 1994年04月22日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 超高速変調が可能な光変調器及び光検出器が歩留まり良く得られる製造方法を提供する。【構成】 光変調器及び光検出器を製作する際に高抵抗基板を用い、更にPIN構造光導波路を高抵抗層で埋め込むことにより、変調器及び光検出器の実際の動作とは無関係な部分の容量を極力下げて素子全体の容量を低減する。選択的な結晶成長により高抵抗ブロック層及び光吸収層を含むメサストライプを形成する。半導体のメサエッチングは不要であり、素子の製作精度は選択的結晶成長を行う際の誘電体マスクの加工精度により決定される。
請求項（抜粋）：
高抵抗半導体基板上にストライプ状の第一導電型クラッド層を部分的に選択結晶成長により形成する工程と、メサストライプ形状の一対の高抵抗半導体ブロック層を一方は該第一導電型のクラッド層の上に、他方は第一導電型のクラッド層が形成されていない部分の高抵抗半導体基板の上に選択結晶成長により形成する工程と、前記一対の高抵抗半導体ブロック層の間の前記第一導電型クラッド層上に半導体光吸収層、逆導電型クラッド層および逆導電型キャップ層を選択結晶成長により順次に形成する工程と、前記逆導電型キャップ層とコンタクトを取るための窓および前記第一導電型のクラッド層を除く領域の基板表面を被覆する誘電体膜を形成する工程と、前記第一導電型のクラッド層の上に第一の電極を形成する工程と、前記逆導電型キャップ層における前記窓の部分に第二の電極を形成する工程とを備えることを特徴とする半導体光機能素子の製造方法。
IPC (4件)：
H01S 3/18
, G02F 1/025
, H01L 27/15
, H01S 3/10
