特許

J-GLOBAL ID：200903007650489268

半導体スイッチング装置、半導体スイッチング素子及びその制御方法

発明者： 倉地 和博 ,  山元 正則
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 吉田 茂明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-006145
公開番号（公開出願番号）：特開平9-201039
出願日： 1996年01月17日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：

【要約】【課題】 スナバ回路に起因するスパイク損失等の各損失が半導体スイッチング素子内部のカソード面の一部に局部的に集中して同素子が破壊されるのを防止し、スナバコンデンサに充電された電荷を放電させる際に生じる大きな電力損失の防止又はその軽減を図り、以て装置全体の低電力損失化・小型化を実現する。【解決手段】 GTO3のゲート電極3Gからゲートドライバ4及びノード9を介してカソード電極3Kに至る迄の経路R1のインダクタンスを、ターンオフゲインが1以下となるように設定する。ターンオフ時には、主電流IAの全ては、ターンオン制御電流IGとは逆向きにゲート電極3Gからゲートドライバ4を介してノード9側へ転流する。又、ピーク電圧抑制回路5は、上昇するアノード・カソード電極間電圧VA-Kを所定の電圧値に所定の時間だけクランプする。

請求項（抜粋）：

第1、第2及び第3電極を有し、前記第3電極に印加されたターンオン制御電流に応じてオン状態となったときは前記第1電極に流れ込む主電流を前記第1電極から前記第2電極へと直接に流す半導体スイッチング素子と、前記第3電極と前記第2電極との間に接続され、前記ターンオン制御電流を生成して前記第3電極に印加する駆動制御手段とを備え、ターンオフ時には、前記主電流の全てを前記ターンオン制御電流とは逆方向に前記第1電極から前記第3電極を介して前記駆動制御手段へと転流させた、半導体スイッチング装置。

IPC (2件)：

H02M 1/06 ,  H01L 29/744

FI (2件)：

H02M 1/06 Z ,  H01L 29/74 C

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭58-107724
  
• 特開平2-136062
  
• 沸騰冷却型電力変換装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-117305   出願人：三菱重工業株式会社