サーマルヘッドおよびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤一雄 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-086110
公開番号（公開出願番号）：特開2001-270141
出願日： 2000年03月27日
公開日（公表日）： 2001年10月02日
要約：

【要約】【課題】小型化が可能で、信頼性の高いサーマルヘッドを提供する。【解決手段】本発明のサーマルヘッドは、支持基体1上に形成されるグレーズ層2と、グレーズ層2の上面に帯状に形成される複数の発熱抵抗体層3と、発熱抵抗体層3それぞれの上面に形成される共通電極4および複数の個別電極5と、発熱抵抗体層3の凸部状の発熱部3a周辺を覆う保護層6と、保護層6の上面に形成される帯電防止用の導電層7と、保護層6の一部を除去して個別電極5を露出させたボンディングパッド部8とを備えている。帯電防止用の導電層7と共通電極4とを界面接触させるため、導電層7と共通電極4との接触抵抗を低くすることができる。また、基板全面に導電層7を形成した後、リフトオフ法によりボンディングパッド部8周辺の導電層7を除去するため、ボンディングパッド部8周辺の導電層7を簡易な製法で確実に除去できる。

請求項（抜粋）：

支持基体上に発熱抵抗体層を形成する工程と、前記発熱抵抗体層をエッチング加工して凸部状の発熱部を複数形成する工程と、基板上面全体に発熱抵抗体膜および電極膜を順に形成する工程と、前記電極膜をパターンニングして、前記発熱部を挟んで一方の側に前記発熱部すべてに共通に接続される共通電極を形成し、かつ、他方の側に前記発熱部それぞれに個別に接続される複数の個別電極を形成する工程と、基板上面全体に保護膜を形成する工程と、基板上面全体に第1のレジスト膜を形成してフォトリソグラフィ法により前記保護膜をパターンニングして、前記共通電極の一部と前記複数の個別電極の一部とを露出させる工程と、露出された前記複数の個別電極周辺の上面に第2のレジスト膜を形成する工程と、基板上面全体に帯電防止用の導電層を形成し、前記共通電極と前記導電層とを界面接触させる工程と、前記第2のレジスト膜上面の前記導電層をリフトオフ法により除去する工程と、を備えることを特徴とするサーマルヘッドの製造方法。

FI (2件)：

B41J 3/20 111 H , B41J 3/20 111 F

Fターム (6件)：

2C065JF07 , 2C065JF10 , 2C065JF21 , 2C065JH08 , 2C065JH10 , 2C065JH11

引用特許：

出願人引用 (5件)

特開昭63-038286
特開昭62-164558
特開昭61-293869

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