特許
J-GLOBAL ID：200903007656173548
イオン注入方法およびその装置
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井上 一 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-345037
公開番号（公開出願番号）：特開平7-176289
出願日： 1993年12月20日
公開日（公表日）： 1995年07月14日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハに注入された不純物量を高精度に測定することのでき、ガス発生に起因した処理の中断を無くしてスループットを高めることができるイオン注入方法およびその装置を提供すること。【構成】 減圧チャンバー30に配置したウエハWに、イオンビームを照射してイオンを注入するイオン注入方法において、イオン注入開始後の所定時間では、電流計35にて測定されるビーム電流が第1のビーム電流値L1 となるように制御し、時間T経過後は第1のビーム電流値L1 よりも高い第2のビーム電流値L2 となるように制御する。こうして、イオン注入開始直後の所定時間T内に半導体ウエハWのレジスト膜からの発生ガスに起因して上昇するチャンバー30内圧力を、時間T経過後の前記チャンバー内圧力と同等以下とする。この結果、チャンバー30内の圧力は、電流計35でのビーム電流の測定精度に影響の少ない圧力値となる。
請求項（抜粋）：
減圧チャンバー内に配置した被処理体に、イオンビームを照射してイオンを注入するイオン注入方法において、被処理体への単位時間当たりの到達イオン量を、イオン注入開始後の所定時間と、それ以外とで異ならせて、前記所定時間内に前記被処理体からの発生ガスに起因して上昇する前記チャンバー内圧力を、前記所定時間経過後の前記チャンバー内圧力と同等以下としたことを特徴とするイオン注入方法。
IPC (3件)：
H01J 37/317
, H01J 37/04
, H01L 21/265
H01L 21/265 D
, H01L 21/265 T
