特許

J-GLOBAL ID：200903007663761633

プラズマエッチング方法

発明者： 山崎 一雄 ,  津国 和之 ,  野尻 一男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-065783
公開番号（公開出願番号）：特開平6-283476
出願日： 1993年03月25日
公開日（公表日）： 1994年10月07日
要約：

【要約】【目的】 酸化シリコン膜上に堆積した多結晶シリコン膜を高選択比でエッチングする。【構成】 酸化シリコン膜上に堆積した多結晶シリコン膜をハロゲン系のガスでエッチングする際、ハロゲン系のガスにキセノン、クリプトン、アルゴンなどの希ガスを添加する。エッチングガス中、ハロゲン系のガスの濃度は15〜50%とし、0.013〜1.3Paのプラズマ雰囲気中でエッチングを行う。

請求項（抜粋）：

酸化シリコン膜、窒化シリコン膜または酸化タンタル膜上に堆積した多結晶シリコン膜、シリサイド膜またはそれらの積層膜をハロゲン系のガスでエッチングするに際し、前記ハロゲン系のガスに希ガスを添加することを特徴とするプラズマエッチング方法。