特許
J-GLOBAL ID：200903007666880269
単一走査、連続動作の逐次的横方向結晶化を行う方法及びシステム
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
杉村 興作
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-584375
公開番号（公開出願番号）：特表2004-520715
出願日： 2001年04月19日
公開日（公表日）： 2004年07月08日
要約：
本発明は、基板上のシリコン薄膜フィルムの試料を処理する方法及びシステムに関するものである。この基板は、シリコン薄膜フィルム内への結晶成長の種にならない表面部分を有する。このフィルム試料は、第1端及び第2端を有する。照射ビーム発生器を制御して、所定反復度の逐次的な照射ビームパルスを放出する。各照射ビームパルスをマスクして、複数の第1小ビーム及び複数の第2小ビームを規定して、各照射パルスのこれら複数の第1及び第2小ビームは、前記フィルム試料に当たるように供給し、そして前記フィルム試料の照射部分を厚み全体にわたって融解させるのに十分な強度を有する。前記フィルム試料を一定の所定速度で連続的に走査して、前記照射パルスの第1及び第2小ビームが、前記第1端と前記第2端とを結ぶ走査方向に進みながら逐次的に当たるようにする。前記フィルム試料を連続的に走査する間には、前記照射ビームパルスの第1小ビームを用いて前記フィルム試料の複数の第1領域を照射して、これらの第1領域を厚み全体にわたって融解させて、隣接する第1領域間に未照射領域を残す。また前記連続的な走査中には、前記各照射パルスの第1小ビームを用いて照射した前記第1領域の各々が再凝固して結晶化するのを待つ。前記第1領域が再凝固して結晶化する間には、前記シリコンフィルムの複数の第2領域を前記照射ビームパルスの第2小ビームを用いて逐次的に照射して、これらの第2領域を厚み全体にわたって融解させる。前記第2領域の各々は、再凝固して結晶化した前記第1領域の各対、及びこれらの対の間の各未照射領域に部分的にオーバラップしている。
請求項（抜粋）：
シリコン薄膜フィルム内への結晶成長の種にならない表面部分を有する基板上の、第1端及び第2端を有するシリコン薄膜フィルム試料を処理する方法において、この方法が、
(a) 照射ビーム発生器を制御して、所定反復度の逐次的な照射ビームパルスを放出するステップと;
(b) 前記各照射ビームをマスクして、複数の第1小ビーム及び複数の第2小ビームを規定するステップとを具えて、前記各照射パルスの前記複数の第1及び第2小ビームは、前記フィルム試料に当たるように供給し、かつ前記シリコンフィルム試料の照射部分を厚み全体にわたって融解させるのに十分な強度を有し;
前記方法がさらに、
(c) 前記フィルム試料を一定の所定速度で連続的に走査して、前記照射ビームパルスの前記第1及び第2小ビームが、前記フィルム試料上の前記第1端と前記第2端とを結ぶ走査方向に進みながら逐次的に当たるようにするステップと;
(d) ステップ(c)中に、前記フィルム試料の複数の第1領域を、前記照射ビームパルスの前記第1小ビームによって逐次的に照射して、前記第1領域を厚み全体にわたって融解させて、隣接する前記第1領域間に未照射領域を残すステップと;
(e) ステップ(c)中に、前記各照射ビームの前記第1小ビームによって照射した前記第1領域の各々が、再凝固して結晶化するのを待つステップと;
(f) ステップ(e)中に、前記フィルム試料の複数の第2領域を、前記照射ビームパルスの前記第2小ビームによって逐次的に照射して、前記第2領域を厚み全体にわたって融解させるステップとを具えて、
前記第2領域の各々が、再凝固して結晶化した前記第1領域の各対、及びこれらの対の間の前記各未照射領域に部分的にオーバラップしていることを特徴とするシリコン薄膜フィルム試料の処理方法。
IPC (2件)：
FI (3件)：
H01L21/20
, H01L21/268 F
, H01L21/268 J
5F052AA02
, 5F052AA03
, 5F052AA04
, 5F052BA02
, 5F052BA07
, 5F052BA12
, 5F052BA18
, 5F052BB07
, 5F052CA04
, 5F052CA10
, 5F052DA02
, 5F052FA01
, 5F052FA19
