特許
J-GLOBAL ID：200903007667145317
高周波モジュール
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-002934
公開番号（公開出願番号）：特開2003-204013
出願日： 2002年01月10日
公開日（公表日）： 2003年07月18日
要約：
【要約】【課題】高機能、小型の高周波モジュールを提供すること。【解決手段】発熱素子を形成した第一のチップ1、および、温度変化に対して動作特性が変化するまたは前記第一のチップの動作範囲の上限温度よりも動作範囲の上限温度が低い素子を形成した第二のチップ2、並びに、複数の誘電体層4と複数の導体層5とから成り、前記第一のチップ並びに 前記第二のチップを機械的に支えるとともに、前記導体層の何れかはこれらのチップと電気的に接続している多層基板とを少なくとも含んで構成し、前記モジュールは第一のチップにより発生した熱を前記モジュール内に拡散させる手段、もしくは、前記第一のチップにより発生した熱をモジュールの上面側から下面側へと伝導させるための手段、もしくは前記第一の導体パタンから前記第二の導体パタンへの熱の伝導を分断する手段、の少なくとも1つの手段を有することを特徴とする高周波モジュール。
請求項（抜粋）：
発熱素子を形成した第一のチップ、温度変化に対して動作特性が変化するまたは前記第一のチップの動作範囲の上限温度よりも動作範囲の上限温度が低い素子を形成した第二のチップ、および、複数の誘電体層と複数の導体層を有し、前記第一のチップ並びに 前記第二のチップを機械的に支えるとともに、前記導体層の何れかはこれらのチップと電気的に接続している多層基板とを少なくとも含んで構成したモジュールであって、前記第一のチップは前記多層基板の上面に設けられた導体層もしくは前記多層基板に設けたキャビティ内の導体層に設けられた第一の導体パタンに接して配置され、前記第二のチップは前記多層基板の上面に設けられた導体層もしくは前記多層基板に設けたキャビティ内の導体層に設けられた第二の導体パタンに接して配置され、前記モジュールは第一のチップにより発生した熱を前記モジュール内に拡散させる手段、もしくは、前記第一のチップにより発生した熱をモジュールの上面側から下面側へと伝導させるための手段、もしくは前記第一の導体パタンから前記第二の導体パタンへの熱の伝導を分断する手段、の少なくとも1つの手段を有することを特徴とする高周波モジュール。
IPC (4件)：
H01L 23/12 301
, H01L 23/12
, H01L 25/04
, H01L 25/18
H01L 23/12 301 J
, H01L 25/04 Z
, H01L 23/12 N
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (10件)
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