特許
J-GLOBAL ID:200903007673672493

恒透磁率特性のすぐれたアモルファス合金の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 佐藤 一雄 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-250044
公開番号(公開出願番号):特開平6-100999
出願日: 1992年09月18日
公開日(公表日): 1994年04月12日
要約:
【要約】【目的】 恒透磁率を示す磁界範囲の広いアモルファス合金の製造方法を提供する。【構成】 Feを主成分とし、これにB,Si,Cのうち1種または2種以上を合計15〜25原子%含有する合金に、Zrを0.01〜0.05重量%添加した合金を、酸化性雰囲気中で急冷してアモルファス薄帯とする。あるいは、この薄帯を酸化性雰囲気または湿潤雰囲気中で焼鈍する。【効果】 従来に比べてきわめて高い磁界まで一定の透磁率を示すので、チョーク、パルストランス、リアクトルなどのコアとして小型化、高効率化が可能となる。
請求項(抜粋):
Feを主成分とし、これにB,Si,Cの半金属のうち1種または2種以上を合計で15〜25原子%含有する合金に、Zrを0.01〜0.05重量%添加した合金を溶融し、酸化性雰囲気中で急冷凝固し、薄帯とすることを特徴とする恒透磁率特性のすぐれたアモルファス合金の製造方法。
IPC (3件):
C22C 45/02 ,  C22C 33/04 ,  H01F 1/153

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