特許

J-GLOBAL ID：200903007677447656

半導体装置およびその製造方法

発明者： 藤原 剛 ,  牛山 雅弘 ,  一瀬 勝彦 ,  大橋 直史 ,  斉藤 哲夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立東京エレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：再公表公報
出願番号（国際出願番号）：JP1999003703
公開番号（公開出願番号）：WO2001-004946
出願日： 1999年07月08日
公開日（公表日）： 2001年01月18日
要約：

【要約】本発明は、高性能で高信頼な半導体装置を提供することを目的としたものであり、MISFETのゲート電極を覆って形成される自己整合用の窒化珪素膜17を、400°C以上の基板温度で、モノシランおよび窒素を原料ガスとしたプラズマCVD法により形成するものである。また、パッシベーション膜を構成する窒化珪素膜44は、350°C程度の基板温度で、モノシラン、アンモニアおよび窒素を原料ガスとするプラズマCVD法により形成される。窒化珪素膜17に含まれる水素量は窒化珪素膜44に含まれる水素量より少なく、窒化珪素膜17からの脱離水素量は抑制される。

請求項（抜粋）：

(a)半導体基板表面に選択的に第1絶縁膜を形成する工程と、(b)前記半導体基板表面に第2絶縁膜を介して、第1導体片を形成する工程と、(c)前記半導体基板の表面であって、前記第1絶縁膜と前記第1導体片が存在しない領域に半導体層を形成する工程と、(d)前記第1導体片、前記半導体層及び前記第1絶縁膜を覆うように第3絶縁膜を形成する工程と、(e)前記第3絶縁膜上に、第4絶縁膜を形成する工程と、(f)前記第4及び第3絶縁膜に第1開孔を形成する工程と、(g)前記第1開孔内に第2導体片を形成する工程と、(h)前記第4絶縁膜上に第5絶縁膜を形成する工程とを有し、前記第3絶縁膜及び第5絶縁膜はプラズマCVD法により形成された窒化珪素膜であり、前記第3絶縁膜の形成温度は、前記第5絶縁膜の形成温度よりも高いことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/768 ,  H01L 21/318

FI (2件)：

H01L 21/90 J ,  H01L 21/318 M