特許
J-GLOBAL ID：200903007686728897
結晶性半導体作製方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-307444
公開番号（公開出願番号）：特開平10-135136
出願日： 1996年10月31日
公開日（公表日）： 1998年05月22日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 結晶化を助長する触媒元素を用いて、通常の固相成長温度よりも低い温度・短時間の加熱処理で結晶性珪素を得る方法を提供する。【解決手段】 非晶質珪素膜が形成された試料103を真空チャンバー101に置き、ビスシクロペンタジエニルニッケルやビスメチルシクロペンタジエニルニッケル等の有機ニッケル蒸気あるいはガスをチャンバー内に導入して、これを熱分解、放電分解、あるいは光分解することによって、ニッケルもしくはその化合物の被膜を試料上に均一に堆積させる。その後、例えば、550°C、4時間の加熱処理をおこなって、結晶性珪素膜を得る。さらに、温度を保持したまま、チャンバーにハロゲンを含むガス(例えば、塩化水素)を導入する。この際、珪素膜上にニッケルは透過させるが、珪素膜がエッチングされない程度の厚さの酸化膜が形成されるように、雰囲気および温度を調整する。
請求項（抜粋）：
非晶質珪素膜を有する基板をチャンバー内に配置する第1の工程と、チャンバー内に非晶質珪素膜の結晶化を助長する触媒元素を有する有機金属の蒸気もしくはガスを導入する第2の工程と、前記蒸気もしくはガスを分解することにより、前記非晶質珪素膜表面に触媒元素金属もしくはその化合物の被膜を堆積する第3の工程と、前記チャンバー中において、前記非晶質珪素膜を加熱処理することによる結晶化させる第4の工程と、前記チャンバー内にハロゲン化合物と酸素を有する気体を導入して450〜700°Cで加熱処理する第5の工程と、を有する結晶性半導体作製方法。
IPC (5件)：
H01L 21/20
, C30B 29/06
, C30B 29/06 504
, H01L 29/786
, H01L 21/336
H01L 21/20
, C30B 29/06 Z
, C30B 29/06 504 K
, H01L 29/78 627 G
