特許

J-GLOBAL ID：200903007688829950

半導体装置の現像処理方法

発明者： 滝 益志
出願人/特許権者： 日鉄セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 大島 陽一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-300335
公開番号（公開出願番号）：特開平10-144589
出願日： 1996年11月12日
公開日（公表日）： 1998年05月29日
要約：

【要約】【課題】 シリコン基板の全面に対して均一な現像処理を簡単に行う。【解決手段】 シリコン基板3を回転させて、そのシリコン基板上への現像液の液盛り形成、純水洗浄、回転処理による純水除去処理を行う半導体装置の現像処理方法おいて、シリコン基板を、スピンモータ1に接続されたチャック2にその回転中心CL(A1)に対して偏心(B1)させた状態で支持すると共に、シリコン基板を偏心回転運動をさせた状態にてシリコン基板上にノズル4から現像液吐出を行うことによりシリコン基板表面に現像液の液盛り形成を行う工程と、現像終了後、シリコン基板を偏心運動回転させた状態にて純水吐出を行うことで洗浄処理を行う工程と、純水洗浄処理終了後、シリコン基板を偏心運動回転を行わせた状態にて前記シリコン基板の純水除去処理を行う。【効果】 回転中心から偏心した位置に吐出された液が基板全体に均一に拡散し得る。

請求項（抜粋）：

シリコン基板を回転させて、該シリコン基板上への現像液の液盛り形成、純水洗浄、回転処理による純水除去処理を行う半導体装置の現像処理方法おいて、前記シリコン基板を、スピンモータに接続されたチャックに当該チャックの回転中心に対して偏心させた状態で支持すると共に、前記シリコン基板を偏心回転運動をさせた状態にて前記シリコン基板上に現像液吐出を行うことにより前記シリコン基板表面に現像液の液盛り形成を行う工程と、現像終了後、前記シリコン基板を偏心運動回転させた状態にて純水吐出を行うことで洗浄処理を行う工程と、前記純水洗浄処理終了後、前記シリコン基板を偏心運動回転を行わせた状態にて前記シリコン基板の純水除去処理を行う工程とを有することを特徴とする半導体装置の現像処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  B05C 11/08 ,  H01L 21/304 351

FI (3件)：

H01L 21/30 569 C ,  B05C 11/08 ,  H01L 21/304 351 S