半導体装置の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-088812
公開番号（公開出願番号）：特開2001-274307
出願日： 2000年03月28日
公開日（公表日）： 2001年10月05日
要約：

【要約】【課題】マスキング治具が不要で、リードフレームの部分めっきを生産性よく、且つ、部分めっき箇所が微細であっても形状精度よく行なえ、半導体チップの搭載、及び半導体チップとインナーリードとの電気的接続が作業性よく、且つ、信頼性よく行え、さらに封止樹脂とリードフレームの密着性がよく信頼性のすぐれた半導体装置を得る。【解決手段】リードフレーム1にレジスト8をコーティングし、該コーティング8されたリードフレーム1のめっき必要箇所のレジスト8をレーザー照射により除去し、該除去箇所にめっき9を施し、半導体チップ10を半導体チップ搭載部2に搭載し、インナーリード3と半導体チップ10をボンディングワイヤー11を介して電気的に接続し、前記除去した箇所以外のレジスト8がコーティングされたままのインナーリード3以内を樹脂封止して半導体装置を製造する。

請求項（抜粋）：

リードフレームにレジストをコーティングし、該コーティングされたリードフレームのめっき必要箇所のレジストをレーザー照射により除去し、前記除去箇所にめっきを施し、半導体チップをリードフレームの半導体チップ搭載部に搭載し、インナーリードと半導体チップの電極をボンディングワイヤーを介して電気的に接続し、前記除去した箇所以外のレジストがコーティングされたままのインナーリード、半導体チップ搭載部、半導体チップ、及びボンディングワイヤーを樹脂封止することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 23/50 , H01L 23/28

FI (2件)：

H01L 23/50 D , H01L 23/28 A

Fターム (10件)：

4M109AA01 , 4M109BA01 , 4M109CA21 , 4M109FA06 , 4M109FA07 , 5F067AA01 , 5F067DC00 , 5F067DC13 , 5F067DC14 , 5F067DE06

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