特許

J-GLOBAL ID：200903007699456578

薄片試料加工方法及び薄片試料の作製方法

発明者： 井上 邦弘 ,  乾 光隆
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (1件)： 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-078967
公開番号（公開出願番号）：特開2002-277364
出願日： 2001年03月19日
公開日（公表日）： 2002年09月25日
要約：

【要約】【課題】 透過型電子顕微鏡用の薄片試料を作製する際に、集束イオンビームによるスパッタエッチングによって切削端面に生じたダメージ層を除去する。【解決手段】 集束イオンビーム加工法を用いて固体試料を切削加工することで固体試料から切り出した薄片試料(30)をマイクログリッド(50)上に固着する。薄片試料(30)の切削端面にはガリウムイオンビームによるスパッタエッチングによって格子欠陥等のダメージ層が形成されている。イオンミリング装置を用いてアルゴンイオンを1keV以下の低エネルギーで加速し、アルゴンイオンを薄片試料(30)に照射することで、ダメージ層を除去する。

請求項（抜粋）：

集束イオンビーム加工法を用いて固体試料を切削加工することで固体試料から薄片試料を切り出し、該薄片試料の切削端面に生じたダメージ層をイオンミリングによって除去する、薄片試料加工方法。

IPC (4件)：

G01N 1/28 ,  B23K 15/00 508 ,  C23F 4/00 ,  H01J 37/20

FI (4件)：

B23K 15/00 508 ,  C23F 4/00 A ,  H01J 37/20 Z ,  G01N 1/28 G

Fターム (16件)：

2G052AC02 ,  2G052AD52 ,  2G052EC18 ,  2G052GA33 ,  4E066AA01 ,  4E066BA13 ,  4E066BB02 ,  4K057DA11 ,  4K057DB06 ,  4K057DD04 ,  4K057DE14 ,  4K057DE15 ,  4K057DN04 ,  5C001AA01 ,  5C001BB07 ,  5C001CC01