特許

J-GLOBAL ID：200903007704733216

InAlAs又はInGaAlAsを使用する光電装置に関するドーパント拡散阻止

発明者： ユリヤ、エイ.アクロバ ,  サン-ネー、ジー.チュー ,  マイケル、ゲバ ,  マーク、エス.ハイバートセン ,  チャールズ、ダブリュ.レンツ ,  アブダラー、オーガサーデン
出願人/特許権者： アジア、システムズ、オプトエレクトロニクス、ガーディアン、コーポレーション
代理人 (1件)： 杉村 興作 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101591
公開番号（公開出願番号）：特開2001-352131
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2001年12月21日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】光電装置の活性領域におけるドーパント原子の拡散と、隣接するドープ領域間の異なる形式のドーパント原子の相互拡散とを減少する方法を開示する。【解決手段】複数のInAlAs及び/又はInGaAlAs層115.131を用い、グラッド層116と記活性層114との間と、電流阻止層132と活性層114との間の直接接触を防ぎ、ドーパント原子の相互拡散を抑制する半絶縁埋設リッジ構造を開示する。

請求項（抜粋）：

第1導電型の基板と、前記基板上に設けられ、少なくとも2つの側面を有し、活性領域を含むメサ構造とを具え、前記活性領域を少なくとも一方の側においてドーパント阻止層によって境界付け、前記ドーパント阻止層がInAlAs及びInGaAlAsから成るグループから選択された材料を具えることを特徴とする光電装置。

IPC (4件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/025 ,  H01L 31/10 ,  H01S 5/50 630

FI (4件)：

H01S 5/227 ,  G02F 1/025 ,  H01S 5/50 630 ,  H01L 31/10 A

Fターム (26件)：

2H079AA02 ,  2H079BA01 ,  2H079CA05 ,  2H079DA16 ,  2H079EA03 ,  2H079EA07 ,  2H079HA04 ,  2H079HA12 ,  5F049MA03 ,  5F049MA04 ,  5F049MB07 ,  5F049NA12 ,  5F049NB01 ,  5F049QA08 ,  5F049QA16 ,  5F049WA01 ,  5F073AA07 ,  5F073AA22 ,  5F073AA52 ,  5F073AA72 ,  5F073AB22 ,  5F073BA01 ,  5F073CA07 ,  5F073CA12 ,  5F073CA15 ,  5F073CB19