特許

J-GLOBAL ID：200903007709540653

CVD装置

発明者： 伊野 忠雄 ,  大路 譲 ,  牛山 雅弘 ,  金子 豊
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-115918
公開番号（公開出願番号）：特開平6-333838
出願日： 1993年05月18日
公開日（公表日）： 1994年12月02日
要約：

【要約】【目的】 半導体ウェハのCVD積層膜を形成する装置において、高速高温のパルスアニールを実現する。【構成】 ウェハ19をアニールする時は、CVD加熱サセプタ17をウエハ19から引き離してアニールランプ群24で加熱する。また、CVD膜付けの時は、ウエハ19とCVD加熱サセプタ17を密着させ、CVD加熱サセプタ17で加熱する。このためのCVD加熱サセプタ上下移動機構14を持つ。【効果】 本発明により、ウェハの高速昇温、高速降温が達成できる。

請求項（抜粋）：

半導体ウェハのCVD(Chemical Vapor Deposition)膜付けとアニールとを同一チャンバ内で処理し、試料ウエハの表面に薄膜を積層に形成する装置において、前記試料ウェハの上部と下部に加熱源を設け、一方の加熱源を移動させ、前記移動した加熱源と前記試料ウェハとの熱的結合と熱的分離を図る手段を設けたことを特徴とするCVD装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/46 ,  C23C 16/54