特許

J-GLOBAL ID：200903007712567830

強誘電体キャパシタおよびその製造方法

発明者： ウイリアム ラルソン ,  トーマス デイブンポート ,  コンスタンス ド スミス
出願人/特許権者： ラムトロン・インターナショナル・コーポレーション
代理人 (1件)： 大垣 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-325444
公開番号（公開出願番号）：特開平5-259391
出願日： 1992年12月04日
公開日（公表日）： 1993年10月08日
要約：

【要約】【目的】 強誘電体メモリ装置の品質に影響を及ぼすランダム欠陥の可能性を低減する強誘電体キャパシタを提供することにある。【構成】 メモリ装置用の強誘電体キャパシタが基板と底部電極と上部電極とを備えている。底部電極と上部電極との間に、交互に積層された強誘電体の層と中間電極か、あるいは強誘電体材料の複数の層が存在する。一方の層を他方の層上に積層することにより同キャパシタを製造する。

請求項（抜粋）：

基板と、上記基板上の底部電極と、上記底部電極上の強誘電体材料の第1層と、強誘電体材料の上記第1層上の中間電極と、上記中間電極上に位置し上記第1層とは別個の強誘電体材料の第2層と、強誘電体材料の上記第2層上の上部電極とを備えたことを特徴とする強誘電体キャパシタ。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01G 4/12 346 ,  H01G 4/12 358

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 特開平3-034580
  
• 特開昭63-310156
  
• 特開平2-249278
  
• 特開平3-108770