特許
J-GLOBAL ID：200903007717060253
インダクタンス素子およびトランス
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-252052
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090028
出願日： 1991年09月30日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】インダクタンスまたは結合係数を高めると共に、軽薄短小化を進めて高密度実装を図る。【構成】混成集積回路基板31上に、導体により渦巻状のインダクタパターン32を形成する。このインダクタパターン32の渦巻中心部において、混成集積回路基板31に挿入孔を穿設し、この挿入孔内にフェライトコア37を挿入する。
請求項（抜粋）：
混成集積回路基板上に、導体により渦巻状のインダクタパターンを形成し、このインダクタパターンの渦巻中心部にて前記基板に挿入孔を穿設し、この挿入孔内に磁性体を挿入したことを特徴とするインダクタンス素子。
IPC (4件)：
H01F 17/00
, H01F 15/02
, H01F 27/26
, H01F 27/28
