特許

J-GLOBAL ID：200903007719860311

埋込素子分離基板およびその製造方法

発明者： 沼野 正訓 ,  土屋 憲彦 ,  久保田 裕康 ,  林 芳樹 ,  松下 嘉明 ,  牛久 幸広 ,  八木下 淳史 ,  稲葉 聡 ,  高橋 稔 ,  岡山 康則
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-223963
公開番号（公開出願番号）：特開平9-069609
出願日： 1995年08月31日
公開日（公表日）： 1997年03月11日
要約：

【要約】【課題】 素子形成領域における結晶欠陥の発生が抑制された埋込素子分離法による半導体基板の構造およびその製造方法を得る。【解決手段】 素子分離を行うための絶縁物埋込み層の下方に、この埋め込み層とは離間して高濃度に不純物がドーピングされた高歪領域を形成した構造を用いる。この構造では、素子分離埋込み層の直下に高歪層が存在するため、半導体層と絶縁体層との熱膨張の差による応力により絶縁物埋込み層周辺に発生した結晶欠陥が、高歪層に誘導されるため、能動素子等が形成される活性層には結晶欠陥は到達しない。

請求項（抜粋）：

その表面に複数の溝部を形成し、該溝部の内部に絶縁物を埋め込み、該絶縁物により素子分離領域を形成し、該溝部と溝部との間を素子形成領域とする半導体基板であって、該溝部の下方に、該溝部の底部と離間して高不純物密度領域から成る高歪層が形成されていることを特徴とする埋込素子分離基板。

IPC (3件)：

H01L 27/08 331 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/76

FI (4件)：

H01L 27/08 331 C ,  H01L 21/302 F ,  H01L 21/76 L ,  H01L 21/76 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平3-215943
  
• 半導体装置の素子分離方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平3-310197   出願人：沖電気工業株式会社