特許
J-GLOBAL ID：200903007723944449
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松田 正道
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-284067
公開番号（公開出願番号）：特開平11-121647
出願日： 1997年10月16日
公開日（公表日）： 1999年04月30日
要約：
【要約】【課題】 半導体素子のAl電極上に直接メタライジングするには、Al電極の酸化膜を除去し、さらにバリアメタルと称する金属層を形成する必要があるため、工程数が多くなり、コストも非常に高くなる。【解決手段】 ウエハ上への積層法によるパッケージングにおいて、半導体素子4の素子電極5上に、バリアメタルを形成する替わりに直接無電解Niメッキを行うことにより、Ni突起8を形成する。
請求項（抜粋）：
表面に素子電極およびパシベーション膜を有する半導体素子と、前記パシベーション膜上に形成され、前記素子電極の位置に開口部を有する第一の樹脂層と、前記第一の樹脂層上に形成された金属配線と、前記素子電極上に直接形成され、前記素子電極と前記金属配線とを接続する金属層と、前記金属配線上と前記第一の樹脂層上に形成され、前記金属配線上の一部分に開口部を有する第二の樹脂層と、前記第二の樹脂層の開口部に配置され、前記金属配線と接続する金属電極とを備え、前記金属層は、無電解メッキによって形成されていることを特徴とする半導体装置。
FI (2件)：
H01L 23/12 Q
, H01L 23/12 L
