特許

J-GLOBAL ID：200903007740115740

半導体恒温加速試験装置

発明者： 沢田 圭一
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-318857
公開番号（公開出願番号）：特開平5-157806
出願日： 1991年12月03日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：

【要約】【目的】 その構成要素の数を削減することによって、安価である半導体の恒温加速試験装置を提供する。【構成】 試験対象半導体素子の良品である良品半導体素子90a と、良品半導体素子90a 及び試験対象半導体素子に所定波形の入力信号を与える波形発生部6と、前記入力信号に基づいて出力される試験対象半導体素子及び前記良品半導体素子の出力信号の波形を比較し、この比較結果に基づいて前記試験対象半導体素子の良/不良を判定する波形検出部7とを備える。

請求項（抜粋）：

恒温槽内に配された試験対象半導体素子に所定波形の入力信号を与え、該入力信号に基づいて出力される前記試験対象半導体素子の出力信号の波形に基づいて前記試験対象半導体素子の良/不良を判定するようにしてある半導体恒温加速試験装置において、前記試験対象半導体素子の良品である良品半導体素子及び前記試験対象半導体素子に所定波形の入力信号を与える手段と、前記入力信号に基づいて出力される前記試験対象半導体素子及び前記良品半導体素子の出力信号の波形を比較する手段と、該手段の比較結果に基づいて前記試験対象半導体素子の良/不良を判定する手段とを備えることを特徴とする半導体恒温加速試験装置。

IPC (2件)：

G01R 31/28 ,  G01R 31/26