特許
J-GLOBAL ID：200903007746811020
薄膜ガスセンサ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山口 巖 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-221612
公開番号（公開出願番号）：特開2000-055852
出願日： 1998年08月05日
公開日（公表日）： 2000年02月25日
要約：
【要約】【課題】 従来のものと同等以上の感度が得られ、かつ、ガス選択性の良好な薄膜ガスセンサを提供する。【解決手段】 Si基板1に熱酸化膜2を形成し、その上にPt薄膜電極層3およびコンタクト層4を形成し、この電極層3の上にPtおよびSbをドープした酸化スズ薄膜からなるガス検知層薄膜層5と、ガス感度向上のためのガス選択層6とを積層して構成する。
請求項（抜粋）：
基板上に薄膜形成技術により形成され、可燃性ガスの有無を酸化物半導体の抵抗値の変化を利用して検出する薄膜ガスセンサにおいて、薄膜ガス検知部が少なくとも酸化物半導体層,選択燃焼層からなる積層構造とすることを特徴とする薄膜ガスセンサ。
Fターム (18件)：
2G046AA02
, 2G046BA01
, 2G046BA09
, 2G046BB02
, 2G046BB04
, 2G046BC05
, 2G046BC07
, 2G046EA02
, 2G046EA04
, 2G046EA08
, 2G046EA09
, 2G046FB02
, 2G046FE02
, 2G046FE29
, 2G046FE31
, 2G046FE36
, 2G046FE38
, 2G046FE39
