特許

J-GLOBAL ID：200903007748305424

半導体基板の洗浄方法及びそれを用いた半導体装置の製造方法

発明者： 太田 勝啓 ,  原 浩二
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 高橋 明夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-251557
公開番号（公開出願番号）：特開平11-097406
出願日： 1997年09月17日
公開日（公表日）： 1999年04月09日
要約：

【要約】【課題】凹凸の激しい複雑な表面形状を有する半導体基板の洗浄及び乾燥を効果的に行うことのできる基板の洗浄方法及びそれによって半導体装置を高品質、高歩留まりで製造できる半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基板の表面にトレンチ孔のような高アスペクト比構造の微細加工溝が形成された基板を洗浄するに際し、加工溝内部に容易に洗浄液を浸入させるため、洗浄液による洗浄工程の前処理工程として、洗浄室5内に洗浄液の蒸気を送給し、その雰囲気の飽和蒸気圧と温度を制御して基板上に蒸気を凝結する工程を設ける。この前処理工程に使用する洗浄液の蒸気は、例えば超純水の蒸気が好適であるが、後の洗浄工程で使用するその他の洗浄液を蒸発して使用することもできる。

請求項（抜粋）：

半導体基板を洗浄液で洗浄するに際し、その前処理工程として予め洗浄液を気化しその蒸気を前記半導体基板上で凝結させる工程を有して成る半導体基板の洗浄方法。

IPC (4件)：

H01L 21/304 341 ,  H01L 21/304 ,  H01L 21/304 361 ,  B08B 3/08

FI (5件)：

H01L 21/304 341 V ,  H01L 21/304 341 L ,  H01L 21/304 341 M ,  H01L 21/304 361 V ,  B08B 3/08 A