特許

J-GLOBAL ID：200903007749612169

磁気記憶装置

発明者： 上田 善寛 ,  稲場 恒夫 ,  清水 有威 ,  板垣 清太郎
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (8件)： 鈴江 武彦 ,  河野 哲 ,  中村 誠 ,  蔵田 昌俊 ,  峰 隆司 ,  福原 淑弘 ,  村松 貞男 ,  橋本 良郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-109926
公開番号（公開出願番号）：特開2007-287193
出願日： 2006年04月12日
公開日（公表日）： 2007年11月01日
要約：

【課題】 スピン注入書き込み方式に適した構成を有する磁気記憶装置を提供する。【解決手段】 磁気抵抗素子2は、第1端および第2端を有し、第1端から第2端に向かう電流を供給されることにより第1データを書き込まれ、第2端から第1端に向かう電流を供給されることにより第2データを書き込まれる。第1p型MOSFET13は、一端を第1端と接続される。第2p型MOSFET14は、一端を第2端と接続される。第1n型MOSFET15は、一端を第1端と接続される。第2n型MOSFET16は、一端を第2端と接続される。第1電流ソース回路21は、第1、第2p型MOSFETの各他端と接続され、電流を供給する。第1電流シンク回路24は、第1、第2n型MOSFETの各他端と接続され、電流を引き抜く。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

第1端および第2端を有し、前記第1端から前記第2端に向かう電流を供給されることにより第1データを書き込まれ、前記第2端から前記第1端に向かう電流を供給されることにより第2データを書き込まれる、第1磁気抵抗素子と、 一端を前記第1端と接続された第1p型MOSFETと、 一端を前記第2端と接続された第2p型MOSFETと、 一端を前記第1端と接続された第1n型MOSFETと、 一端を前記第2端と接続された第2n型MOSFETと、 前記第1、第2p型MOSFETの各他端と接続され、電流を供給する第1電流ソース回路と、 前記第1、第2n型MOSFETの各他端と接続され、電流を引き抜く第1電流シンク回路と、 を具備することを特徴とする磁気記憶装置。

IPC (4件)：

G11C 11/15 ,  H01L 21/824 ,  H01L 27/105 ,  H01L 43/08

FI (3件)：

G11C11/15 140 ,  H01L27/10 447 ,  H01L43/08 Z

Fターム (24件)：

4M119AA07 ,  4M119BB01 ,  4M119BB03 ,  4M119CC05 ,  4M119DD33 ,  4M119DD44 ,  4M119HH02 ,  4M119HH07 ,  5F092AB08 ,  5F092AC08 ,  5F092AC12 ,  5F092AD03 ,  5F092AD25 ,  5F092BB17 ,  5F092BB18 ,  5F092BB22 ,  5F092BB31 ,  5F092BB33 ,  5F092BB35 ,  5F092BB36 ,  5F092BB37 ,  5F092BB42 ,  5F092BC04 ,  5F092DA03

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 米国特許第5,695,864号明細書
  
• 電磁流量計の励磁回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2003-116673   出願人：横河電機株式会社