特許
J-GLOBAL ID：200903007751595786
高圧力下でのラジカルCVD法による連続成膜方法及びその装置
発明者：
出願人/特許権者：
,
代理人 (1件)：
柳野 隆生
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-221466
公開番号（公開出願番号）：特開平8-081778
出願日： 1994年09月16日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：
【要約】【目的】 荷電粒子による基板の損傷及び基板の加熱による熱的損傷がないとともに、内部に欠陥や表面に凹凸が少なく、しかも反応ガスが分解されて生成したラジカル種同士が気相中で凝集することを抑制し、薄膜の電気的・光学的特性に優れ且つ高速成膜をすることが可能な高圧力下でのラジカルCVD法による連続成膜方法及びその装置を提供する。【構成】 基板表面の近傍に厚さ及び密度が均一且つ厚さの薄い反応ガスの層流を形成するとともに、数Torr〜数気圧の高圧力プラズマ中で生成した高密度の中性ラジカルを含むラジカルガスを反応ガス層流の上層にその流れを乱さないように供給し、反応ガス中に拡散してきた中性ラジカルによって反応ガスを分解し、膜形成元素を基板表面に堆積させて薄膜を連続的に形成する。
請求項（抜粋）：
基板表面の近傍に厚さ及び密度が均一且つ厚さの薄い反応ガスの層流を形成するとともに、数Torr〜数気圧の高圧力プラズマ中で生成した高密度の中性ラジカルを含むラジカルガスを反応ガス層流の上層にその流れを乱さないように供給し、反応ガス中に拡散してきた中性ラジカルによって反応ガスを分解し、膜形成元素を基板表面に堆積させて薄膜を連続的に形成することを特徴とする高圧力下でのラジカルCVD法による連続成膜方法。
IPC (2件)：
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