特許
J-GLOBAL ID：200903007755430463
半導体装置及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
井桁 貞一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-061785
公開番号（公開出願番号）：特開平5-267317
出願日： 1992年03月18日
公開日（公表日）： 1993年10月15日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、半導体装置及びその製造方法に関し、バイポーラトランジスタにおける高速化の阻害要因であるベース押し出し効果や寄生容量及び寄生抵抗をできるだけ少なくすることによって、高速化を図ることを目的とする。【構成】 n型の高濃度コレクタ埋め込み層21と、その上にn型の低濃度コレクタ層22を設け、その低濃度コレクタ層22の上に高濃度のp型の内部ベース拡散層24と外部ベース拡散層25とを設け、外部ベース拡散層25上には外部ベース引き出し電極27を設け、その間のベース・エミッタ開口部32の両側壁にはサイドウォール絶縁層29を設け、そのサイドウォール間で内部ベース拡散層24上部にn型の高濃度エミッタ拡散層26が設けられる。その内部ベース拡散層24の幅で高濃度コレクタ埋め込み層21上から低濃度コレクタ層21のほぼ中央付近に高濃度のn型の第1拡散領域と、高濃度エミッタ拡散層26の幅で内部ベース拡散層24と低濃度コレクタ層22との接合部付近に高濃度のn型の第2拡散領域とを設けるように構成する。
請求項（抜粋）：
素子形成領域下部に一導電型の高濃度コレクタ層(21)と、その上に一導電型の低濃度コレクタ層(22)が設けられ、該低濃度コレクタ層(22)の上部には選択的に逆導電型の内部ベース層(24)が設けられると共に、該内部ベース層(24)の両側には逆導電型の外部ベース層(25)が設けられ、前記内部ベース層(24)上部に一導電型のエミッタ層(26)が設けられたバイポーラトランジスタからなる半導体装置において、前記エミッタ層(26)の位置に対応して前記高濃度コレクタ層(21)上部から前記低濃度コレクタ層(22)へ選択的に突出して設けられた一導電型の高濃度層からなる第1導電領域(34)と、前記内部ベース層(24)と前記低濃度コレクタ層(22)との接合部付近に設けられた一導電型の高濃度層からなる第2導電領域(31)と、を備えたことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 21/265
H01L 29/72
, H01L 21/265 S
