特許
J-GLOBAL ID：200903007756238388
薄膜形成装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-172218
公開番号（公開出願番号）：特開平5-304104
出願日： 1992年06月30日
公開日（公表日）： 1993年11月16日
要約：
【要約】【目的】 基板上の反応生成物の活性化を高めることにより比較的低温で良質な薄膜を形成する。【構成】 基板を収納・支持する真空槽と、前記基板の直上に紫外光を集光する紫外光レーザと、前記基板上にラジカルを照射するラジカルビーム発生器とを設ける。
請求項（抜粋）：
基板を収納・支持する真空槽と、該基板の周辺部にガスを導入するガス導入管と、前記基板の直上に紫外光を集光する紫外光レーザと、前記基板上に1種もしくは2種以上のラジカルを照射する少なくとも1個のラジカルビーム発生器とを設けることを特徴とする薄膜形成装置。
IPC (2件)：
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