特許

J-GLOBAL ID：200903007758195937

入出力端子での静電気放電に対してMOS集積回路を保護する装置

発明者： エンリコ ラバネリ ,  ルチア ツリノ
出願人/特許権者： エスジーエス-トムソン マイクロエレクトロニクスソチエタ レスポンサビリタ リミテ
代理人 (1件)： 石田 敬 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-131794
公開番号（公開出願番号）：特開平8-078630
出願日： 1995年05月30日
公開日（公表日）： 1996年03月22日
要約：

【要約】【目的】 半導体MOS集積回路を入出力端子での静電気放電に対して保護するための、小面積で、エネルギー的・応答速度的に高効率の保護装置を提供する。【構成】 ウェハ主表面から、第2導電型N の第1領域15および第3領域20が別個に第1導電型のP 表面帯域12,13 内に、第1導電型P の第2領域18が第1領域15内に、各々張り出し、第2・第3領域18,20 とオーミック接触した導電材料の端子22,24 を持つSCRを備え、第1領域15と表面帯域12,13 との接合部が、SCRの始動電位を規定する逆方向破壊ブレークダウン電位を有する装置において、導電層17を第1領域15とは絶縁してその縁部を超えて延在させ、接合部の逆方向破壊ブレークダウン電位を所定値にまで減少させるように、接合部での電界分布を変更するように導電層17に極性を付与できる構成とした。

請求項（抜粋）：

第1導電型(P)の表面帯域(12,13)を有する半導体材料のウェハ上に形成されたMOS集積回路の入出力端子における静電気の放電に対する保護装置であって、該装置はSCR構造を有し、該SCR構造は、該ウェハの主表面から該表面帯域(12,13)内に張り出した第2導電型(N)の第1領域(15)と、該主表面から該第1領域(15)内に張り出した該第1導電型(P)の第2領域(18)と、該第1領域(15)とは別個に該主表面から該表面帯域(12,13)内に張り出した該第2導電型(N)の第3領域(20)と、該第2領域(18)および該第3領域(20)の表面とそれぞれオーミック接触して該装置の端子を構成する導電材料の第1および第2の部材(22,24)とを有し、該第1領域(15)と該表面帯域(12,13)とにより、該SCR構造の始動電位を規定する逆方向破壊ブレークダウン電位を有する接合部が形成されている保護装置において、該第1領域(15)とは電気的に絶縁された導電材料の層(17)が該第1領域(15)の縁部を超えて延在し、該接合部の該逆方向破壊ブレークダウン電位を所定値にまで減少させるように、該接合部における電界の分布を変更するように該導電材料の層(17)に極性を付与できることを特徴とする静電気の放電に対する保護装置。

IPC (3件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 27/06

FI (2件)：

H01L 27/04 H ,  H01L 27/06 311 Z