特許
J-GLOBAL ID：200903007763534227
硅素焼結体およびこれを用いて形成したウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハ
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
波多野 久 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-313703
公開番号（公開出願番号）：特開平5-229812
出願日： 1992年11月24日
公開日（公表日）： 1993年09月07日
要約：
【要約】【目的】本発明の目的は、高密度で強度が高く、加工性が優れた硅素焼結体、およびこの焼結体を用い、高い原料歩留りで安価に製造することが可能なウェハ保持用ボード及びスパッタリングターゲットを提供することにある。【構成】本発明に係る硅素焼結体は、減圧下で1200°C以上硅素の融点未満の温度範囲で加熱した硅素粉末を圧縮成形し焼成して形成した硅素焼結体であり、焼結体の結晶粒径を100μm以下に設定したことを特徴とする。ウェハ保持用ボード、スパッタリングターゲットおよびシリコンウェハは、それぞれ上記硅素焼結体から形成される。
請求項（抜粋）：
減圧下で1200°C以上硅素の融点未満の温度範囲で加熱して脱酸した硅素粉末を圧縮成形し焼成して形成した硅素焼結体であり、焼結体の結晶粒径を100μm以下に設定したことを特徴とする硅素焼結体。
IPC (4件)：
C01B 33/02
, C23C 14/34
, H01L 21/203
, H01L 21/68
