特許

J-GLOBAL ID：200903007763591034

基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイス

発明者： グルテジ サンジュ ,  ガロ ジェイ.デルダリアン
出願人/特許権者： マイクロン テクノロジー,インコーポレイテッド
代理人 (2件)： 谷 義一 ,  阿部 和夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2007-235523
公開番号（公開出願番号）：特開2008-010888
出願日： 2007年09月11日
公開日（公表日）： 2008年01月17日
要約：

【課題】基板上に堆積された膜組成物及びその半導体デバイスを提供すること。【解決手段】基板を少なくとも1つの付着性材料に、この材料が基板上に吸着するのに十分な露出を行うことによってイニシエーション層を形成する。イニシエーション層は第1の反応性部位を与え、この部位を第1の反応材料と、原子層堆積条件下で化学的に反応させて第2の反応性部位を形成する。第2の反応性部位を第2の反応材料と、イニシエーション層上に反応層を形成するのに十分なプロセス条件下で化学的に反応させる。このプロセスを繰り返して、連続的な反応層をイニシエーション層上に形成することができる。イニシエーション層を構成する付着性材料は、原子層堆積法によって劣化しないものである。イニシエーション層は、1つまたは複数の反応層とともに最終的な膜を構成する。【選択図】図4B

請求項（抜粋）：

半導体デバイスにおける基板上に形成された膜組成物であって、 前記基板の表面に吸着された付着性材料のイニシエーション層と、 該イニシエーション層上の1つまたはそれ以上の反応層であって、それぞれ金属または金属化合物から構成される反応層とを備え、 前記付着性材料は、前記イニシエーション層を形成する際に少なくとも30%だけ吸着されていることを特徴とする膜組成物。

IPC (6件)：

H01L 21/285 ,  H01L 21/28 ,  H01L 21/768 ,  H01L 21/283 ,  H01L 21/316 ,  C23C 16/30

FI (6件)：

H01L21/285 C ,  H01L21/28 301R ,  H01L21/90 C ,  H01L21/283 B ,  H01L21/316 X ,  C23C16/30

Fターム (48件)：

4K030AA01 ,  4K030AA03 ,  4K030AA04 ,  4K030AA06 ,  4K030AA09 ,  4K030AA11 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA18 ,  4K030BA20 ,  4K030BA21 ,  4K030BA35 ,  4K030BA38 ,  4K030BA44 ,  4K030BA47 ,  4K030BA50 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030DA02 ,  4K030FA10 ,  4K030HA01 ,  4K030JA01 ,  4K030LA15 ,  4M104BB33 ,  4M104BB36 ,  4M104DD43 ,  4M104DD45 ,  4M104EE03 ,  4M104GG16 ,  5F033JJ00 ,  5F033JJ18 ,  5F033JJ34 ,  5F033KK01 ,  5F033PP04 ,  5F033PP06 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ37 ,  5F033RR15 ,  5F033VV16 ,  5F033WW02 ,  5F058BC02 ,  5F058BE10 ,  5F058BF04 ,  5F058BF23 ,  5F058BF29 ,  5F058BF37 ,  5F058BJ01

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 薄膜製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-287331   出願人：三星電子株式会社
• 原子層蒸着法を利用した金属層形成方法およびこれを用いた半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-371636   出願人：三星電子株式会社
• 集積回路のメタライゼーションスキームにおけるバリア層のボトムレス堆積方法
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2001-519484   出願人：エーエスエムアメリカインコーポレイテッド
• 特開昭62-271437
  
• 特開昭62-271437