特許
J-GLOBAL ID：200903007770245613
半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349071
公開番号（公開出願番号）：特開平7-202189
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】従来の後酸化技術を用いても、抵抗が上昇しないゲート電極の形成方法を提供すること。【構成】シリコン基板1上に高融点金属を含む導電層としての多結晶シリコン膜3、窒化チタン膜4、タングステン膜5との積層膜を形成する工程と、タングステン膜4上にレジストパターン7を形成する工程と、珪素を含む反応性ガスをプラズマ化し、これによりレジストパターン7をマスクとして、窒化チタン膜4、タングステン膜5を異方性エッチングするとともに、窒化チタン膜4、タングステン膜5の側壁に珪素を主成分とする堆積膜8を形成する工程と、レジストパターン7を除去した後、非酸化性雰囲気中の加熱により、窒化チタン膜4、タングステン膜5の側壁にシリサイド層9を形成する工程とを備えている。
請求項（抜粋）：
基板上に高融点金属を含む導電層を形成する工程と、この導電層上にマスクパターンを形成する工程と、珪素を含む反応性ガスをプラズマ化し、これにより前記マスクパターンをマスクとして前記導電層を異方性エッチングするとともに、前記導電層の側壁に珪素を主成分とする堆積膜を形成する工程と、非酸化性雰囲気中の加熱により、前記堆積膜をシリサイド化し、前記導電層の側壁にシリサイド層を形成する工程とを有してなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 29/78
, H01L 21/28 301
