特許

J-GLOBAL ID：200903007781615340

半導体レーザ

発明者： 遠藤 康行 ,  今泉 昌之 ,  吹田 宗義 ,  大塚 健一 ,  井須 俊郎
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 高田 守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-003246
公開番号（公開出願番号）：特開平8-191170
出願日： 1995年01月12日
公開日（公表日）： 1996年07月23日
要約：

【要約】【目的】動作電圧を低くして熱発生を抑え、また、消費電力が小さく長寿命の半導体レーザを提供する。【構成】半導体レーザにおいて、p型半導体基板(12)上に形成された、少なくともp型ZnaMg1-aSbSe1-b(0≦a、b≦1)クラッド層(14)およびn型クラッド層(16)、クラッド層の間に位置する活性層(15)ならびにp型およびn型電極(11,17)を有する半導体レーザにおいて、p型半導体基板とp型クラッド層との間に、基板と格子整合し、かつ、価電子帯頂上のエネルギー準位が基板のそれとクラッド層のそれとの間に位置するp型半導体バッファ層(13)を設ける。

請求項（抜粋）：

p型半導体基板上に形成された、少なくともp型ZnaMg1-aSbSe1-b(0≦a≦1、0≦b≦1)クラッド層およびn型クラッド層、クラッド層の間に位置する活性層ならびにp型およびn型電極を有する半導体レーザにおいて、p型半導体基板とp型クラッド層との間に、基板と格子整合し、かつ、価電子帯頂上のエネルギー準位が基板のそれとクラッド層のそれとの間に位置するp型半導体バッファ層を設けたことを特徴とする半導体レーザ。