特許

J-GLOBAL ID：200903007787312616

半導体装置およびその製造方法

発明者： 木村 雅俊
出願人/特許権者： 株式会社ルネサステクノロジ
代理人 (6件)： 深見 久郎 ,  森田 俊雄 ,  仲村 義平 ,  堀井 豊 ,  野田 久登 ,  酒井 將行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-168346
公開番号（公開出願番号）：特開2004-014911
出願日： 2002年06月10日
公開日（公表日）： 2004年01月15日
要約：

【課題】フォトダイオード不純物領域で発生した電荷の転送が行なわれ易くすることにより、ノイズによる画質の低下が抑制された電荷転送トランジスタが用いられた固体撮像素子を有する半導体装置を提供する。【解決手段】N-型フォトダイオード不純物領域10とN+型フローティングディフュージョン不純物領域9との間のチャネル領域には、P型チャネルドープ不純物領域6およびP-型パンチスルーストッパ不純物領域11が形成されていない領域がある。その結果、N-型フォトダイオード不純物領域10からN+型フローティングディフュージョン不純物領域9に転送される電荷が電位障壁や電位の窪みにおいてトラップされ難くなる。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

半導体基板と、 該半導体基板の上に設けられたゲート絶縁膜と、 該ゲート絶縁膜の上に設けられたゲート電極と、 前記半導体基板内において、該ゲート電極の下側に位置するチャネル領域と、 該チャネル領域を挟むように設けられたソース領域およびドレイン領域と、 前記チャネル領域に設けられ、前記ソース領域と前記ドレイン領域とが導通するときに前記ゲート電極に印加される閾値電圧を決定するチャネルドープ不純物領域とを備え、 前記チャネル領域においては、該チャネル領域のうち一部の領域にのみ、前記チャネルドープ不純物領域が設けられた、半導体装置。

IPC (4件)：

H01L27/146 ,  H01L21/8234 ,  H01L27/06 ,  H01L27/088

FI (3件)：

H01L27/14 A ,  H01L27/06 102A ,  H01L27/08 102B

Fターム (30件)：

4M118AA03 ,  4M118AA05 ,  4M118AA08 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA04 ,  4M118DA21 ,  4M118DA22 ,  4M118DD04 ,  4M118DD12 ,  4M118EA03 ,  4M118EA06 ,  4M118EA07 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA28 ,  4M118FA33 ,  4M118FA35 ,  5F048AA04 ,  5F048AA07 ,  5F048AB10 ,  5F048AC10 ,  5F048BB05 ,  5F048BC03 ,  5F048BC05 ,  5F048BC06 ,  5F048BD01 ,  5F048BD04 ,  5F048BG12 ,  5F048DA25