半導体圧力センサ

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田幸彦 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-173231
公開番号（公開出願番号）：特開2001-004470
出願日： 1999年06月18日
公開日（公表日）： 2001年01月12日
要約：

【要約】【課題】過大圧力に対するダイアフラムの保護が図られかつダイアフラムに対する残留歪の伝達防止が図られる半導体圧力センサの提供。【解決手段】ポスト55に形成された圧力導入口34の径は剛体部33のポスト55に対向する面の最小径よりも小さい。したがって、ダイアフラム31の上面側から過大圧力が印加されたとき、ダイアフラムは変形するが、剛体部33のポスト33に対向する面がポスト55の剛体部33に対向する面に当り、過大圧力に対するストッパとなる。また、ダイアフラム支持部の最小径よりも剛体部33の最大径の方が大きい。このため、ダイアフラムの下面側から過大圧力が印加されたとき、ダイアフラムは変形するが、剛体部側壁がダイアフラム支持部側壁に当り、過大圧力に対するストッパとなる。

請求項（抜粋）：

ダイアフラムおよびその支持部を有し、前記ダイアフラムの部分領域に剛体部が形成され、前記ダイアフラムの表面にピエゾ抵抗を配置した半導体圧力センサにおいて、前記ダイアラム支持部の最小径よりも前記剛体部の最大径が大きいことを特徴とする半導体圧力センサ。

IPC (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/06 102 , H01L 29/84

FI (3件)：

G01L 9/04 101 , G01L 19/06 102 , H01L 29/84 B

Fターム (20件)：

2F055AA40 , 2F055BB20 , 2F055CC02 , 2F055DD05 , 2F055EE14 , 2F055FF21 , 2F055FF23 , 2F055GG15 , 4M112AA01 , 4M112BA01 , 4M112CA22 , 4M112CA25 , 4M112CA35 , 4M112CA36 , 4M112DA03 , 4M112DA04 , 4M112DA12 , 4M112EA03 , 4M112FA07 , 4M112FA09

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