特許
J-GLOBAL ID：200903007794831181
半導体レーザ装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-342979
公開番号（公開出願番号）：特開平6-196817
出願日： 1992年12月24日
公開日（公表日）： 1994年07月15日
要約：
【要約】【目的】 高信頼性の半導体レーザ装置を提供するとともに、生産性の向上を図ることを目的とする。【構成】 リードフレームピン3において、レーザダイオード1をマウントする面をレーザダイオード1裏面より出射されるレーザを受光するためのフォトダイオード2の受光面より高くするとともに、フォトダイオード2の受光面とレーザダイオードチップ1の裏面出射端面とを互いに垂直な位置関係になるようにする。
請求項（抜粋）：
レーザダイオードチップを樹脂でモールドしてなる半導体レーザ装置において、前記レーザダイオードチップが載置されるマウント面を、該レーザダイオードチップ裏面より出射されるレーザを受光するためのモニタ用フォトダイオードの受光面より高く設け、かつ該受光面とレーザダイオードチップの裏面出射端面より出射されるレーザ光の光射方向とが互いに垂直の位置関係になるように前記レーザダイオードチップとモニタ用フォトダイオードとを基台に載置することを特徴とする半導体レーザ装置。
IPC (3件)：
H01S 3/18
, H01L 31/12
, H01L 31/10
