半導体装置とその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：岩橋文雄 , 坂口智康 , 内藤浩樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-213400
公開番号（公開出願番号）：特開2004-055943
出願日： 2002年07月23日
公開日（公表日）： 2004年02月19日
要約：

【課題】絶縁膜上に緩和SiGe層を持つSGOI(Silicon Gerumanium On Insulator)基板の製作方法として、SIMOX法や酸化濃縮法が提案されているが、どちらの手法も欠陥密度が高く、また高コストという問題があった。【解決手段】上記課題を解決するため、Si基板上に堆積された絶縁膜の一部をSi表面が露出するように開口を設ける。次にSi露出部分を種結晶として、Si1-xGex単結晶(0<x<1)をエピタキシャル成長することで、絶縁膜を覆うように格子緩和したSi1-xGex単結晶を結晶成長させる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si基板と上記Si基板上に堆積された絶縁膜からなり、かつ上記絶縁膜はSi基板表面が一部露出するように部分的に開口された基板において、開口部分に露出したSi基板表面を種結晶としてSi1-xGex単結晶(0<x<1)を結晶成長することによって、絶縁膜を覆うように格子緩和したSi1-xGex単結晶を結晶成長させる方法。

IPC (7件)：

H01L27/12 , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L21/762 , H01L21/8238 , H01L27/08 , H01L27/092

FI (7件)：

H01L27/12 E , H01L27/12 Z , H01L21/20 , H01L21/205 , H01L27/08 331E , H01L27/08 321B , H01L21/76 D

Fターム (42件)：

5F032AA03 , 5F032AA09 , 5F032AA35 , 5F032AA44 , 5F032AA77 , 5F032AA82 , 5F032BA01 , 5F032BB01 , 5F032CA17 , 5F032DA12 , 5F032DA14 , 5F032DA23 , 5F032DA33 , 5F045AA07 , 5F045AB01 , 5F045AC01 , 5F045AD09 , 5F045AD10 , 5F045AD11 , 5F045AE01 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045DB02 , 5F045DB04 , 5F048AA04 , 5F048AA07 , 5F048AC03 , 5F048BA02 , 5F048BA14 , 5F048BA15 , 5F048BA16 , 5F048BB05 , 5F048BB08 , 5F048BB12 , 5F048BC06 , 5F048BD01 , 5F048BF06 , 5F048BG05 , 5F048BG14 , 5F052JA01 , 5F052KA01 , 5F052KA05

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