特許
J-GLOBAL ID:200903007796390727

有機EL装置の製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 稲葉 良幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2002-046893
公開番号(公開出願番号):特開2002-334782
出願日: 1999年03月17日
公開日(公表日): 2002年11月22日
要約:
【要約】【解決課題】 特性の異なる薄膜を同一基板上にパターニング成膜する場合、薄膜材料液体がバンクを超えて流れ出るという事態を防止し、平坦且つ均一厚みの色むらなどの無い安定した特性の薄膜層を確実に高精度に比較的簡単に歩留まり良く形成でき、高精細な微細パターニングを可能とすること。【構成】 無機材料からなる第1電極が選択的に形成された基板上に、前記第1電極を区切るように少なくとも有機材料を含むバンクを形成し、前記バンクによって区切られた領域に有機半導体膜を形成するための材料液を充填する工程を含む有機EL装置の製造方法であって、前記有機材料が前記無機材料と比べて前記材料液に対する非親和性の程度がより高くなるように、前記第1電極及び前記バンクに対してプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理後、前記バンクによって区切られた領域に前記材料液を充填し、前記有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜上方に第2電極を形成する工程と、を含む。
請求項(抜粋):
無機材料からなる第1電極が選択的に形成された基板上に、前記第1電極を区切るように少なくとも有機材料を含むバンクを形成し、前記バンクによって囲まれた領域に有機半導体膜を形成するための材料液を充填する工程を含む有機EL装置の製造方法であって、前記有機材料が前記無機材料と比べて前記材料液に対する非親和性の程度が高くなるように、前記第1電極及び前記バンクに対してプラズマ処理を施す工程と、前記プラズマ処理後、前記バンクによって囲まれた領域に前記材料液を充填し、前記有機半導体膜を形成する工程と、前記有機半導体膜上方に第2電極を形成する工程と、を含む有機EL装置の製造方法。
IPC (6件):
H05B 33/10 ,  G02B 5/20 101 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/12 ,  H05B 33/14 ,  H05B 33/22
FI (6件):
H05B 33/10 ,  G02B 5/20 101 ,  H05B 33/02 ,  H05B 33/12 B ,  H05B 33/14 A ,  H05B 33/22 Z
Fターム (8件):
2H048BA64 ,  2H048BB02 ,  2H048BB47 ,  3K007AB08 ,  3K007AB18 ,  3K007BB06 ,  3K007DB03 ,  3K007FA01
引用特許:
審査官引用 (4件)
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