特許

J-GLOBAL ID：200903007796469889

基板処理装置

発明者： 高垣 哲也 ,  石井 昭紀 ,  李 雲龍
出願人/特許権者： 株式会社日立国際電気
代理人 (1件)： 梶原 辰也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-290758
公開番号（公開出願番号）：特開2002-100574
出願日： 2000年09月25日
公開日（公表日）： 2002年04月05日
要約：

【要約】【課題】 ウエハの自然酸化膜による悪影響を防止する。【解決手段】 CVD装置10の筐体11に設置した窒素ガスパージチャンバ21の上にはCVD膜形成処理室52と別に、昇華可能生成物形成処理を施す表面処理室62と昇華処理を施す昇華室72とが設置されており、各室52、62、72にはウエハ1を保持したボート30がボート移送装置28で順次搬入搬出される。表面処理室62にはプラズマ発生装置が接続された自然酸化膜除去ガス導入管67が接続され、この導入管67の途中にはNF3 ガス供給源が接続され、プラズマ発生装置にはH2 ガス供給源とN2 ガス供給源とが接続されている。【効果】 ウエハに生成された自然酸化膜を表面処理室と昇華室とで除去した直後に処理室でCVD膜を形成するため、CVD膜に対する自然酸化膜の悪影響を確実に防止でき、CVD装置および半導体装置の性能、信頼性を向上できる。

請求項（抜粋）：

プラズマによって活性化された水素ガスおよび窒素ガスに衝突されて活性化されたハロゲンガスが基板に接触されて、この基板の自然酸化膜を含む表面に昇華可能生成物が形成され、この生成物が前記基板が加熱されて昇華され、その後に、前記基板に所定の処理が施されることを特徴とする基板処理装置。

IPC (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/324

FI (4件)：

H01L 21/205 ,  H01L 21/22 Y ,  H01L 21/324 P ,  H01L 21/302 N

Fターム (25件)：

5F004AA14 ,  5F004BA01 ,  5F004BB11 ,  5F004BB19 ,  5F004DA17 ,  5F004DA24 ,  5F004DA25 ,  5F004DB03 ,  5F004EA38 ,  5F004EB02 ,  5F004FA07 ,  5F045AA03 ,  5F045AA06 ,  5F045AB03 ,  5F045AD12 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AF03 ,  5F045BB18 ,  5F045CB10 ,  5F045DA51 ,  5F045DP19 ,  5F045DQ05 ,  5F045HA03 ,  5F045HA24