特許

J-GLOBAL ID：200903007797860441

改善された光抽出のためのフリップチップ発光ダイオードの量子井戸の選択配置

発明者： ユ-チェン シェン ,  マイケル アール クレイムス ,  マイケル ジェイ ルドワイズ
出願人/特許権者： ルミレッズ ライティング ユーエス リミテッドライアビリティ カンパニー
代理人 (9件)： 中村 稔 ,  大塚 文昭 ,  熊倉 禎男 ,  宍戸 嘉一 ,  今城 俊夫 ,  小川 信夫 ,  村社 厚夫 ,  西島 孝喜 ,  箱田 篤
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-152217
公開番号（公開出願番号）：特開2004-006893
出願日： 2003年05月29日
公開日（公表日）： 2004年01月08日
要約：

【課題】デバイスの光抽出効率を改善する。【解決手段】本発明の実施例によれば、発光デバイスは、発光領域と1以上の層により前記発光領域から分離された反射接点とを含んでいる。第1の実施例では、前記発光領域と前記反射接点との間の仕切りは、約0.5λnと約0.9λnの間にあり、λnは前記発光領域及び反射接点を分離する装置の領域において前記反射領域から放射する放射線の波長である。第2の実施例では、前記発光領域と前記反射接点との間の仕切りは、約λnと約1.4λnの間にある。前記発光領域は、例えば、III-窒化物、III-燐化物、又は他の適当な材料であってもよい。【選択図】 図6a

請求項（抜粋）：

放射線を放射可能な発光領域と、 前記放射線を反射し、間隙により前記発光領域から分離されている反射体とを備え、 前記間隙は、前記放射された放射線の直接ビームと反射ビーム間の干渉が前記発光ダイオードの最上部の逃し円錐部に放射線を集中させるようになっていることを特徴とする発光ダイオード。

IPC (1件)：

H01L33/00

FI (2件)：

H01L33/00 A ,  H01L33/00 C

Fターム (13件)：

5F041AA03 ,  5F041CA05 ,  5F041CA13 ,  5F041CA40 ,  5F041CA46 ,  5F041CA83 ,  5F041CA86 ,  5F041CA91 ,  5F041CA93 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA04 ,  5F041DA09