固体撮像素子

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：野田茂
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-029148
公開番号（公開出願番号）：特開2002-231929
出願日： 2001年02月06日
公開日（公表日）： 2002年08月16日
要約：

【要約】【課題】サイズの小さい光電変換素子を高密度で配列する場合でも、各光電変換素子を容易かつ確実に分離して解像度の低下や混色を防止する。【解決手段】固体撮像素子2は、シリコンから成る半導体基板104上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子106を備え、各光電変換素子106は半導体基板104の表面部に局所的に積層されたp型領域115およびn型領域116を含んで構成されている。そして、光電変換素子106のそれぞれの周囲の半導体基板表面部に、n型領域116の底部6より深い位置に至るトレンチ8が形成されている。トレンチ8は、対応する垂直電荷転送レジスター108側を除き、光電変換素子106を囲んで形成されている。トレンチ8の内面にはシリコン酸化膜10が被着され、トレンチ8内には光を反射させるための金属材料12が充填されている。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に相互に近接して配列された複数の光電変換素子を備え、前記光電変換素子は前記半導体基板の表面部に局所的に積層された第1導電型および第2導電型の領域を含み、前記第2導電型の領域は前記半導体基板の表面側に形成されている固体撮像素子であって、各光電変換素子の周囲の半導体基板表面部に、前記第1導電型の領域の底部より深い位置に至るトレンチが形成されていることを特徴とする固体撮像素子。

IPC (3件)：

H01L 27/148 , H01L 21/76 , H04N 5/335

FI (4件)：

H04N 5/335 U , H04N 5/335 F , H01L 27/14 B , H01L 21/76 L

Fターム (19件)：

4M118AA05 , 4M118AB01 , 4M118BA13 , 4M118CA04 , 4M118DA02 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118FA14 , 4M118FA19 , 4M118FA27 , 5C024AX01 , 5C024CX37 , 5C024GX03 , 5C024GY04 , 5F032AA35 , 5F032AA45 , 5F032AA54 , 5F032CA21 , 5F032DA23

引用特許：

審査官引用 (6件)

特開平3-273678
特開平3-273679
特開昭52-086782

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