特許

J-GLOBAL ID：200903007802120273

半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： 笹島 勝博
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-023041
公開番号（公開出願番号）：特開平10-223753
出願日： 1997年02月05日
公開日（公表日）： 1998年08月21日
要約：

【要約】【課題】 Tiを含有する導体層を上層部に設けてなる配線を有する半導体集積回路装置において、その配線の一部が露出するような接続孔を穿孔する際に、そのエッチングガスとTiとの反応生成物が発生するのを防止する。【解決手段】 第1層配線3L1 の上層部に設けられたTiを含有する導体層3L1c上に、第1層配線3L1 を被覆する絶縁膜4aに接続孔5を穿孔する際に、その接続孔5からTiを含有する導体層3L1cの一部が露出するのを防ぐためのアルミニウム等からなる保護用の導体層3L1dを形成する工程を有するようにした。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に設けられた配線層の異なる下層配線および上層配線を、それら配線層間の絶縁膜に穿孔された接続孔を通じて電気的に接続する構造を有する半導体集積回路装置の製造方法であって、前記下層配線の上層部に設けられたチタンを含有する導体層上に、前記絶縁膜に接続孔を穿孔する際に、その接続孔からチタンを含有する導体層の一部が露出するのを防ぐための保護導体層を形成する工程を有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。