特許
J-GLOBAL ID：200903007803465517
混成回路基板及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
薄田 利幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-227115
公開番号（公開出願番号）：特開平5-067878
出願日： 1991年09月06日
公開日（公表日）： 1993年03月19日
要約：
【要約】【目的】厚膜・薄膜混成回路基板を短時間・高歩留で作成することにある。【構成】薄膜回路基板100の導体パッド13と、厚膜基板200となるセラミック基板15の貫通孔16とを位置合わせし、両基板100と200とを接着剤14で接合させ一体化し、貫通孔16内の接着剤をレーザ等のエネルギービームで除去した後、その後に電気めっきにより銅を析出させ埋込み層18を形成する。この貫通孔16内に接続用のピン21を接合、電気的に接続することにより、混成回路基板300を実現する。これにより、薄膜回路基板100と厚膜基板200との電気的接続の信頼性が極めて高い混成回路基板が容易に得られる。
請求項（抜粋）：
一方の面に接続導体パッドが、他方の面に電子部品接続用の端子がそれぞれ形成された多層薄膜回路基板と、前記接続導体パッドに貫通孔が対面し接着剤により一体化接合された厚膜基板と、前記貫通孔内の接着剤が除去されて露出した前記接続導体パッド上から貫通孔内に沿って埋め込まれた導体層と、前記導体層に接合された外部端子接続用ピンとを具備して成る混成回路基板。
IPC (2件)：
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