磁気抵抗効果素子薄膜

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-200748
公開番号（公開出願番号）：特開平6-177453
出願日： 1992年07月28日
公開日（公表日）： 1994年06月24日
要約：

【要約】【目的】 Fe/Cr人工格子磁気抵抗効果素子薄膜において、磁気抵抗のヒステリシスをなくし、かつ磁気抵抗の磁場依存性を直線的にする。【構成】サファイヤ単結晶基板1上にV Nb、Mo、Ta、Wより選ばれた1つの金属あるいはこれら金属の少なくとも2種の金属よりなる体心立方晶の合金、またはFeあるいはCrとこれら金属よりなる体心立方晶の合金よりなる単層バッファー層2を形成し、その上にFeとCrを交互にエピタキシャル成長させてFe/Cr人工格子を形成する。この人工格子は膜の成長方向のみならず面内の結晶方位もはっきり宣義された単結晶膜となるのでヒステリシスがなくなり、磁場依存性も直線的になる。バッファー層を2層構造とし上述のバッファー層2の上にCrの層5を形成すると低磁場域でのヒステリシスもなくすことができる。

請求項（抜粋）：

サファイヤ単結晶基板上に、体心立方晶金属M(M=バナジウム(V)、ニオブ(Nb)、モリブデン(Mo)、タンタル(Ta)、タングステン(W))、またはこの体心立方晶金属Mより選ばれた2種類以上の金属からなる体心立方晶の合金、または、鉄(Fe)あるいはクロム(Cr)と前記体心立方晶金属Mとからなる体心立方晶の合金のエピタキシャルバッファー層上に、鉄(Fe)とクロム(Cr)が交互にエピタキシャル成長した人工格子膜からなることを特徴とする磁気抵抗効果素子薄膜。

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開平3-150881
特開平3-106085
特開昭63-002391

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