特許

J-GLOBAL ID：200903007804594140

薄膜構成体のレーザ加工方法

発明者： シユテフアン プラシエク ,  ウオルフガング リードル ,  ハンス ゴスロウスキー
出願人/特許権者： シーメンス アクチエンゲゼルシヤフト ,  シーメンス、ソーラー、ゲゼルシヤフト、ミツト、ベシユレンクテル、ハフツング
代理人 (1件)： 富村 潔
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-287039
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218472
出願日： 1992年10月02日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：

【要約】【目的】ソーラーモジュールの電力を悪化させることなく、薄膜構成体の背面電極のパターニングを簡単かつ確実に実施する。【構成】1つまたは複数の透明電極上に位置する少なくとも1つの薄膜を含む特殊な薄膜構成体において材料除去を行うために、波長が薄膜の吸収範囲にある透明膜を通してレーザパルスが照射される。レーザパルスを照射された薄膜領域は場合によってはその薄膜上に位置する膜をも含めて残留物なく透明膜から切り離される。

請求項（抜粋）：

薄膜構成体は1つまたは複数の透明膜上に配置された少なくとも1つの薄膜を有しており、波長が薄膜の吸収範囲内にあるレーザパルスが前記1つまたは複数の透明膜を通して照射され、それにより薄膜構成体はレーザ光線の領域が透明膜から切り離されることを特徴とする薄膜構成体のレーザ加工方法。

IPC (3件)：

H01L 31/04 ,  B23K 26/00 ,  B23K 26/18

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開昭61-014727
  
• 特開昭61-058278
  
• 特開平1-095570