特許

J-GLOBAL ID：200903007805417714

化合物半導体薄膜光電変換素子

発明者： 藤沢 晃 ,  渡辺 章司
出願人/特許権者： 新光電気工業株式会社
代理人 (1件)： 綿貫 隆夫 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-020896
公開番号（公開出願番号）：特開平11-220151
出願日： 1998年02月02日
公開日（公表日）： 1999年08月10日
要約：

【要約】【課題】 2層に形成したp型半導体層間の密着性がよく、またp型半導体層と第1電極層との間の密着性もよい化合物半導体薄膜光電変換素子を提供する。【解決手段】 Cu、In及び周期律表VI族の元素から成るp型半導体層とn型半導体層20とが積層されると共に、p型半導体層の表面に第1電極層14が形成され、n型半導体層20の表面に透光性を有する第2電極層22が形成された化合物半導体薄膜光電変換素子10において、p型半導体層は、第1電極層14側にCuの原子数がInの原子数よりも少ない第1のp型半導体層16が形成され、n型半導体層20側にCuの原子数がInの原子数よりも多い第2のp型半導体層18が形成されている。

請求項（抜粋）：

Cu、In及び周期律表VI族の元素から成るp型半導体層とn型半導体層とが積層されると共に、前記p型半導体層の表面に第1電極層が形成され、前記n型半導体層の表面に透光性を有する第2電極層が形成された化合物半導体薄膜光電変換素子において、前記p型半導体層は、前記第1電極層側にCuの原子数がInの原子数よりも少ない第1のp型半導体層が形成され、前記n型半導体層側にCuの原子数がInの原子数よりも多い第2のp型半導体層が形成されていることを特徴とする化合物半導体薄膜光電変換素子。