特許
J-GLOBAL ID：200903007805527374
半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
高田 守 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-256268
公開番号（公開出願番号）：特開平5-102200
出願日： 1991年10月03日
公開日（公表日）： 1993年04月23日
要約：
【要約】【目的】 半導体基板の表面に形成された金属層の直下にバイアホールが形成された半導体装置において、バイアホールの形成時に多少のエッチングオーバーが生じても、それによる影響が現れるのを防止する。【構成】 上面に複数の穴または溝状の窪み5が形成された半導体基板1と、上記窪みの内面および上記半導体基板表面の上記窪みの周辺部に一体的に形成された金属層6と、上記窪みが形成された部分の直下に上記半導体基板の裏面から上記窪みに達する深さに形成されたバイアホール7と、該バイアホールの内面および上記半導体基板の裏面に形成され、上記窪みの内面に形成された金属層に接続された接地電極8とからなることを特徴とする。
請求項（抜粋）：
上面に複数の穴または溝状の窪みが形成された半導体基板と、上記窪みの内面および上記半導体基板表面の上記窪みの周辺部に一体的に形成された金属層と、上記窪みが形成された部分の直下に上記半導体基板の裏面から上記窪みに達する深さに形成されたバイアホールと、該バイアホール内および上記半導体基板の裏面に形成され、上記窪みの内面に形成された上記金属層に接続された接地電極とからなる半導体装置。
IPC (8件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/28 301
, H01L 21/285 301
, H01L 21/302
, H01L 21/90
, H01L 23/12
, H01L 29/44
H01L 29/80 U
, H01L 23/12 E
