特許
J-GLOBAL ID:200903007805899298

サブマージアーク溶接方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 藤巻 正憲
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平10-001845
公開番号(公開出願番号):特開平11-192555
出願日: 1998年01月07日
公開日(公表日): 1999年07月21日
要約:
【要約】【課題】 靱性及び亀裂伝播停止特性が優れていると共に、硬さが抑制された溶接金属を得ることができるサブマージアーク溶接方法を提供する。【解決手段】 ボンドフラックスは、フラックス全重量あたりの重量%で、MgO:20〜40%,Al2O3:15〜35%,SiO2:8〜20%,CaF2:5〜15%,金属炭酸塩(CO2換算値):2〜5%及び金属Si:1〜2.5%を含有し、Bを実質的に含有しないものであり、ワイヤは、ワイヤ全重量あたりの重量%で、C:0.03〜0.08%,Si:0.02〜0.4%,Mn:0.1〜0.7%及びNi:3.5〜6%を含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなり、不可避的不純物としてのNが0.007%以下に規制されている。これらのフラックスとワイヤとを、フラックス中の金属Si含有量を重量%で[Si]f、ワイヤ中のC含有量を重量%で[C]w、ワイヤ中のSi含有量を重量%で[Si]wとしたとき、数式A=([Si]f+65×[C]w+15×[Si]w)により算出されるA値が4〜9となるように組み合わせて溶接する。
請求項(抜粋):
ワイヤとボンドフラックスとを組み合わせて溶接するサブマージアーク溶接方法において、フラックス全重量あたり、MgO:20乃至40重量%、Al2O3:15乃至35重量%、SiO2:8乃至20重量%、CaF2:5乃至15重量%、金属炭酸塩(CO2換算値):2.0乃至5.0重量%及び金属Si:1.0乃至2.5重量%を含有し、実質的にBを含有しないボンドフラックスと、ワイヤ全重量あたり、C:0.03乃至0.08重量%、Si:0.02乃至0.40重量%、Mn:0.10乃至0.70重量%及びNi:3.5乃至6.0重量%を含有し、残部がFe及び不可避的不純物からなり、前記不可避的不純物のうちNが0.0070重量%以下に規制されたワイヤとを、前記フラックス中の金属Si含有量を重量%で[Si]f、前記ワイヤ中のC含有量を重量%で[C]w、前記ワイヤ中のSi含有量を重量%で[Si]wとしたとき、数式A=([Si]f+65×[C]w+15×[Si]w)により算出されるA値が4.0乃至9.0となるように組み合わせて溶接することを特徴とするサブマージアーク溶接方法。
IPC (6件):
B23K 9/18 ,  B23K 9/00 501 ,  B23K 9/02 ,  B23K 35/30 320 ,  B23K 35/362 310 ,  B23K 35/362
FI (7件):
B23K 9/18 G ,  B23K 9/18 C ,  B23K 9/00 501 L ,  B23K 9/02 G ,  B23K 35/30 320 C ,  B23K 35/362 310 B ,  B23K 35/362 310 C

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